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| Numéro d'article | IXTA1N200P3HV |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 2000V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23.5nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 646pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | - |
| Dissipation de puissance (Max) | 125W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40 Ohm @ 500mA, 10V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-263 (IXTA) |
| Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263
En stock: 1358
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET P-CH 500V 10A TO-263AA
En stock: 1600
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263
En stock: 100
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 55V 110A TO-263-7
En stock: 0
Fabricant: IXYS
La description: 120V/110A TRENCHT2 POWER MOSFET
En stock: 50
