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| Numéro d'article | IXTY1R6N50D2 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | N-Channel |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 500V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.6A (Tc) |
| Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | - |
| Vgs (th) (Max) @ Id | - |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 23.7nC @ 5V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 645pF @ 25V |
| Vgs (Max) | ±20V |
| FET Caractéristique | Depletion Mode |
| Dissipation de puissance (Max) | 100W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.3 Ohm @ 800mA, 0V |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Package de périphérique fournisseur | TO-252, (D-Pak) |
| Paquet / cas | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 0.1A DPAK
En stock: 4699
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 0.1A TO-252AA
En stock: 699
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
En stock: 1957
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-252
En stock: 0
Fabricant: IXYS
La description: MOSFET N-CH 500V 800MA DPAK
En stock: 526
