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| Numéro d'article | APT150GN60LDQ4G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 220A |
| Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 450A |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.85V @ 15V, 150A |
| Puissance - Max | 536W |
| Échange d'énergie | 8.81mJ (on), 4.295mJ (off) |
| Type d'entrée | Standard |
| Charge de porte | 970nC |
| Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 44ns/430ns |
| Condition de test | 400V, 150A, 1 Ohm, 15V |
| Temps de récupération inverse (trr) | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-264-3, TO-264AA |
| Package de périphérique fournisseur | TO-264 [L] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
En stock: 21
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 215A 625W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 16
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W SOT227
En stock: 15
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 600V 220A 536W TO-264L
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 170A 830W SOT227
En stock: 29
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 1KV 15A TO247
En stock: 14
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE ARRAY GP 1000V 15A TO247
En stock: 0
