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| Numéro d'article | APT50GF60JU3 |
|---|---|
| État de la pièce | Obsolete |
| Type d'IGBT | NPT |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 75A |
| Puissance - Max | 277W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 50A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 40µA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 2.25nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | ISOTOP |
| Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
En stock: 63
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT227
En stock: 23
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 49
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
En stock: 2
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 83
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
En stock: 69
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V T-MAX
En stock: 0
