Numéro d'article | APT54GA60B |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | PT |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 600V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 96A |
Courant - Collecteur pulsé (Icm) | 161A |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.5V @ 15V, 32A |
Puissance - Max | 416W |
Échange d'énergie | 534µJ (on), 466µJ (off) |
Type d'entrée | Standard |
Charge de porte | 158nC |
Td (marche / arrêt) à 25 ° C | 17ns/112ns |
Condition de test | 400V, 32A, 4.7 Ohm, 15V |
Temps de récupération inverse (trr) | - |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | TO-247-3 |
Package de périphérique fournisseur | TO-247 [B] |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
En stock: 32
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A T-MAX
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 41A SOT-227
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Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 44A SOT227
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V 46A TO-264
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 500V T-MAX
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