Numéro d'article | APT80SM120J |
---|---|
État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | SiCFET (Silicon Carbide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 1200V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 51A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 235nC @ 20V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Vgs (Max) | +25V, -10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 273W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Chassis Mount |
Package de périphérique fournisseur | SOT-227 |
Paquet / cas | SOT-227-4, miniBLOC |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 42A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A T-MAX
En stock: 1
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 33A SOT-227
En stock: 92
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 38A TO-264
En stock: 7
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A T-MAX
En stock: 9
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 29A SOT-227
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 6
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOSFET N-CH 800V 31A TO-264
En stock: 0