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| Numéro d'article | APTGT200DA170D3G |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type d'IGBT | Trench Field Stop |
| Configuration | Single |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 1700V |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 400A |
| Puissance - Max | 1250W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.4V @ 15V, 200A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 5mA |
| Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | 17nF @ 25V |
| Contribution | Standard |
| Thermistance NTC | No |
| Température de fonctionnement | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Chassis Mount |
| Paquet / cas | D-3 Module |
| Package de périphérique fournisseur | D3 |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MODULE IGBT 1200V 200A SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG D3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: POWER MOD IGBT3 PHASE LEG SP2
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT PHASE TRENCH FIELD STOP SP3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT MODULE TRENCH PHASE LEG SP4
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 300A 1050W D3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1200V 280A 890W SP6
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: IGBT 1700V 400A 1250W D3
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: MOD IGBT 600V 290A SP3
En stock: 0
