Numéro d'article | JAN1N5419 |
---|---|
État de la pièce | Active |
Type de diode | Standard |
Tension - DC Reverse (Vr) (Max) | 500V |
Courant - Rectifié moyen (Io) | 3A |
Tension - Avant (Vf) (Max) @ Si | 1.5V @ 9A |
La vitesse | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Temps de récupération inverse (trr) | 250ns |
Courant - Fuite inverse @ Vr | 1µA @ 500V |
Capacitance @ Vr, F | - |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | B, Axial |
Package de périphérique fournisseur | - |
Température de fonctionnement - Jonction | -65°C ~ 175°C |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 0