provider of semiconductor and system solutions for aerospace & defense, communications, data center and industrial markets.
| Numéro d'article | JAN2N4399 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | PNP |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 30A |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 60V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 750mV @ 1A, 10A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 100µA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 15 @ 15A, 2V |
| Puissance - Max | 5W |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 200°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-204AA, TO-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 0
