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| Numéro d'article | JAN2N6052 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type de transistor | PNP - Darlington |
| Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 12A |
| Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 100V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 3V @ 120mA, 12A |
| Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1mA |
| Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 1000 @ 6A, 3V |
| Puissance - Max | 150W |
| Fréquence - Transition | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | TO-3 |
| Package de périphérique fournisseur | TO-3 (TO-204AA) |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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