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| Numéro d'article | JANTX1N6461 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | Zener |
| Canaux unidirectionnels | 1 |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | 5V |
| Tension - Panne (Min) | 5.6V |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | 9V |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | 315A (8/20µs) |
| Puissance - Impulsion de crête | 500W |
| Protection de ligne électrique | No |
| Applications | General Purpose |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Paquet / cas | B, Axial |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
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