Numéro d'article | PMXB120EPE |
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État de la pièce | Active |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 30V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.4A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 11nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 309pF @ 15V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 400mW (Ta), 8.3W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 2.4A, 10V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | DFN1010D-3 |
Paquet / cas | 3-XDFN Exposed Pad |
Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET P-CH 30V 2.4A 3DFN
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET P-CH 30V 2.4A DFN1010D-3
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET P-CH 20V 1.2A 3DFN
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET P-CH 20V 1.2A DFN1010D-3
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 80V 1.1A 3DFN
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 80V 1.1A DFN1010D-3
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 12V 3.2A DFN1010D-3G
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Fabricant: Nexperia USA Inc.
La description: MOSFET N-CH 20V 3.2A DFN1010D-3G
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