Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples PHD21N06LT,118

NXP USA Inc. PHD21N06LT,118

Numéro d'article
PHD21N06LT,118
Fabricant
NXP USA Inc.
La description
MOSFET N-CH 55V 19A DPAK
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
NXP Semiconductors

NXP Semiconductors

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Numéro d'article PHD21N06LT,118
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 55V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 19A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 9.4nC @ 5V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 650pF @ 25V
Vgs (Max) ±15V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 56W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 70 mOhm @ 10A, 10V
Température de fonctionnement -55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Package de périphérique fournisseur DPAK
Paquet / cas TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
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PHD21N06LT,118

Fabricant: NXP USA Inc.

La description: MOSFET N-CH 55V 19A DPAK

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