Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés MUN5313DW1T1G

ON Semiconductor MUN5313DW1T1G

Numéro d'article
MUN5313DW1T1G
Fabricant
ON Semiconductor
La description
TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés
ON Semiconductor

ON Semiconductor

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En Stock $ Quantité pcs
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    (En dollars américains)
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  • 3,000 pcs

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    0.01932/pcs
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    0.01642/pcs
  • 30,000 pcs

    0.01545/pcs
  • 75,000 pcs

    0.01449/pcs
  • 150,000 pcs

    0.01288/pcs
Total:0.02488/pcs Unit Price:
0.02488/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article MUN5313DW1T1G
État de la pièce Active
Type de transistor 1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 50V
Résistance - Base (R1) (Ohms) 47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms) 22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 500nA
Fréquence - Transition -
Puissance - Max 250mW
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur SC-88/SC70-6/SOT-363
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