Numéro d'article | 2SA1309ARA |
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État de la pièce | Obsolete |
Type de transistor | PNP |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 100mA |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 50V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 5mA, 50mA |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | 1µA |
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 210 @ 2mA, 10V |
Puissance - Max | 300mW |
Fréquence - Transition | 80MHz |
Température de fonctionnement | 150°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Paquet / cas | NS-B1 |
Package de périphérique fournisseur | NS-B1 |
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 1A 160V TO226-3
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Fabricant: Panasonic Electronic Components
La description: TRANS PNP 200V 0.07A TO-92
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS PNP 2A 50V TO226-3
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