Numéro d'article | NP36P04KDG-E1-AY |
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État de la pièce | Obsolete |
FET Type | P-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 40V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 55nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 2800pF @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.8W (Ta), 56W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17 mOhm @ 18A, 10V |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Package de périphérique fournisseur | TO-263 |
Paquet / cas | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 40V 36A TO-263
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 40V 36A TO-252
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 60V 36A TO-263
En stock: 0
Fabricant: Renesas Electronics America
La description: MOSFET P-CH 60V 36A TO-252
En stock: 0