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| Numéro d'article | JANTX1N6474US.TR |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| Type | - |
| Canaux unidirectionnels | - |
| Canaux bidirectionnels | - |
| Tension - Inverser l'écart (Typ) | - |
| Tension - Panne (Min) | - |
| Tension - Serrage (Max) @ Ipp | - |
| Courant - Impulsion de crête (10 / 1000μs) | - |
| Puissance - Impulsion de crête | - |
| Protection de ligne électrique | - |
| Applications | - |
| Capacité @ Fréquence | - |
| Température de fonctionnement | - |
| Type de montage | - |
| Paquet / cas | - |
| Package de périphérique fournisseur | - |
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO5
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 35A DO5
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 600V 35A DO5
En stock: 100
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
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Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA
En stock: 0
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 36
Fabricant: Microsemi Corporation
La description: DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA
En stock: 4
