STMicroelectronics STP33N65M2

Numéro d'article: STP33N65M2
Fabricant: STMicroelectronics
La description: MOSFET N-CH 650V 24A TO220
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

STMicroelectronics

stmicroelectronics is a global independent semiconductor company and is a leader in developing and delivering semiconductor solutions across the spectrum

En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
1.70000/pcs
10 pcs
1.60600/pcs
100 pcs
1.31690/pcs
500 pcs
1.06638/pcs
1,000 pcs
0.89936/pcs

Total:1.70000/pcs

Unit Price:

1.70000/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	STP33N65M2
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	650V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	24A (Tc)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	41.5nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	1790pF @ 100V
Vgs (Max)	±25V
FET Caractéristique	-
Dissipation de puissance (Max)	190W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	140 mOhm @ 12A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3