Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples 2SC2229(TE6SAN1F,M

Toshiba Semiconductor and Storage 2SC2229(TE6SAN1F,M

Numéro d'article
2SC2229(TE6SAN1F,M
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
TRANS NPN 50MA 150V TO226-3
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - Bipolaires (BJT) - Simples
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit
Numéro d'article 2SC2229(TE6SAN1F,M
État de la pièce Last Time Buy
Type de transistor NPN
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 50mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 500mV @ 1mA, 10mA
Courant - Coupure du collecteur (Max) 100nA (ICBO)
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce 70 @ 10mA, 5V
Puissance - Max 800mW
Fréquence - Transition 120MHz
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Paquet / cas TO-226-3, TO-92-3 Long Body
Package de périphérique fournisseur TO-92MOD
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