Toshiba Semiconductor and Storage RN1509(TE85L,F)

Numéro d'article: RN1509(TE85L,F)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.3W SMV
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit

Numéro d'article	RN1509(TE85L,F)
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 NPN - Pre-Biased (Dual) (Emitter Coupled)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	47k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	22k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	70 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	300mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SC-74A, SOT-753
Package de périphérique fournisseur	SMV