Toshiba Semiconductor and Storage RN2911,LF

Numéro d'article: RN2911,LF
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W US6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit

Numéro d'article	RN2911,LF
État de la pièce	Active
Type de transistor	2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	-
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	120 @ 1mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	200MHz
Puissance - Max	200mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Package de périphérique fournisseur	US6