Toshiba Semiconductor and Storage RN4902FE,LF(CT

Numéro d'article: RN4902FE,LF(CT
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
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4,000 pcs
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8,000 pcs
0.02100/pcs
12,000 pcs
0.01785/pcs
28,000 pcs
0.01680/pcs
100,000 pcs
0.01400/pcs

Total:0.02415/pcs

Unit Price:

0.02415/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	RN4902FE,LF(CT
État de la pièce	Active
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	500nA
Fréquence - Transition	250MHz, 200MHz
Puissance - Max	100mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6