Toshiba Semiconductor and Storage RN4982FE(T5L,F,T)

Numéro d'article: RN4982FE(T5L,F,T)
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: TRANS NPN/PNP PREBIAS 0.1W ES6
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - Bipolaires (BJT) - Matrices, prépolarisés

Toshiba Semiconductor and Storage

toshiba semiconductor & storage offers a broad range of enabling technology solutions that allow oems, odms, cms and fabless chip companies to develop advanced integrated products for the computing, networking, communications, digital consumer, automotive and other markets.

En Stock $ Quantité pcs

Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
-
10 pcs
0.13500/pcs
25 pcs
0.09740/pcs
100 pcs
0.07570/pcs
250 pcs
0.04758/pcs
500 pcs
0.04056/pcs
1,000 pcs
0.02758/pcs

Total:0

Unit Price:

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	RN4982FE(T5L,F,T)
État de la pièce	Active
Type de transistor	1 NPN, 1 PNP - Pre-Biased (Dual)
Courant - Collecteur (Ic) (Max)	100mA
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max)	50V
Résistance - Base (R1) (Ohms)	10k
Résistance - Base de l'émetteur (R2) (Ohms)	10k
Gain de courant CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	50 @ 10mA, 5V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic	300mV @ 250µA, 5mA
Courant - Coupure du collecteur (Max)	100nA (ICBO)
Fréquence - Transition	250MHz
Puissance - Max	100mW
Type de montage	Surface Mount
Paquet / cas	SOT-563, SOT-666
Package de périphérique fournisseur	ES6