Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples TK25E60X,S1X

Toshiba Semiconductor and Storage TK25E60X,S1X

Numéro d'article
TK25E60X,S1X
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N-CH 600V 25A TO-220AB
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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En Stock $ Quantité pcs
  • Prix ​​de référence

    (En dollars américains)
  • 1 pcs

    2.22000/pcs
  • 50 pcs

    1.78200/pcs
  • 100 pcs

    1.62360/pcs
  • 500 pcs

    1.31472/pcs
  • 1,000 pcs

    1.10880/pcs
Total:2.22000/pcs Unit Price:
2.22000/pcs
Prix ​​cible:
Quantité:
Paramètre du produit
Numéro d'article TK25E60X,S1X
État de la pièce Active
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 25A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3.5V @ 1.2mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 40nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 2400pF @ 300V
Vgs (Max) ±30V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 180W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 125 mOhm @ 7.5A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220
Paquet / cas TO-220-3
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