Toshiba Semiconductor and Storage TK31E60X,S1X

Numéro d'article: TK31E60X,S1X
Fabricant: Toshiba Semiconductor and Storage
La description: MOSFET N-CH 600V 30.8A TO-220
Statut sans plomb / statut RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famille: Transistors - FET, MOSFET - Simples

Toshiba Semiconductor and Storage

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Prix de référence
(En dollars américains)
1 pcs
2.85500/pcs
50 pcs
2.29430/pcs
100 pcs
2.09040/pcs
500 pcs
1.69270/pcs
1,000 pcs
1.42758/pcs

Total:2.85500/pcs

Unit Price:

2.85500/pcs

Prix cible:

Quantité:

Paramètre du produit

Numéro d'article	TK31E60X,S1X
État de la pièce	Active
FET Type	N-Channel
La technologie	MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss)	600V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C	30.8A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 1.5mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs	65nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds	3000pF @ 300V
Vgs (Max)	±30V
FET Caractéristique	Super Junction
Dissipation de puissance (Max)	230W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	88 mOhm @ 9.4A, 10V
Température de fonctionnement	150°C (TJ)
Type de montage	Through Hole
Package de périphérique fournisseur	TO-220
Paquet / cas	TO-220-3