Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Simples TK55D10J1(Q)

Toshiba Semiconductor and Storage TK55D10J1(Q)

Numéro d'article
TK55D10J1(Q)
Fabricant
Toshiba Semiconductor and Storage
La description
MOSFET N-CH 100V 55A TO220W
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Simples
Toshiba Semiconductor and Storage

Toshiba Semiconductor and Storage

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Paramètre du produit
Numéro d'article TK55D10J1(Q)
État de la pièce Obsolete
FET Type N-Channel
La technologie MOSFET (Metal Oxide)
Drain à la tension de source (Vdss) 100V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 55A (Ta)
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) 4.5V, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 2.3V @ 1mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 110nC @ 10V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 5700pF @ 10V
Vgs (Max) ±20V
FET Caractéristique -
Dissipation de puissance (Max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10.5 mOhm @ 27A, 10V
Température de fonctionnement 150°C (TJ)
Type de montage Through Hole
Package de périphérique fournisseur TO-220(W)
Paquet / cas TO-220-3
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