Numéro d'article | IRLD120PBF |
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État de la pièce | Active |
FET Type | N-Channel |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain à la tension de source (Vdss) | 100V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 1.3A (Ta) |
Tension du variateur (Max Rds On, Min Rds On) | 4V, 5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 5V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 490pF @ 25V |
Vgs (Max) | ±10V |
FET Caractéristique | - |
Dissipation de puissance (Max) | 1.3W (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 270 mOhm @ 780mA, 5V |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Package de périphérique fournisseur | 4-DIP, Hexdip, HVMDIP |
Paquet / cas | 4-DIP (0.300", 7.62mm) |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 60V 1.7A 4-DIP
En stock: 7341
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 60V 2.5A 4-DIP
En stock: 9986
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
En stock: 3559
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET N-CH 100V 1.3A 4-DIP
En stock: 6274