Numéro d'article | SI7949DP-T1-E3 |
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État de la pièce | Active |
FET Type | 2 P-Channel (Dual) |
FET Caractéristique | Logic Level Gate |
Drain à la tension de source (Vdss) | 60V |
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 3.2A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64 mOhm @ 5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 40nC @ 10V |
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Puissance - Max | 1.5W |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Type de montage | Surface Mount |
Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 Dual |
Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 12V 7.6A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 100V 3.8A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 30V 7A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 150V 2.1A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 60V 3A PPAK SO-8
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Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2P-CH 60V 3.2A PPAK SO-8
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