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| Numéro d'article | SI7956DP-T1-GE3 |
|---|---|
| État de la pièce | Active |
| FET Type | 2 N-Channel (Dual) |
| FET Caractéristique | Logic Level Gate |
| Drain à la tension de source (Vdss) | 150V |
| Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C | 2.6A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 105 mOhm @ 4.1A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs | 26nC @ 10V |
| Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | - |
| Puissance - Max | 1.4W |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Surface Mount |
| Paquet / cas | PowerPAK® SO-8 Dual |
| Package de périphérique fournisseur | PowerPAK® SO-8 Dual |
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 150V 2.6A PPAK SO-8
En stock: 21000
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
En stock: 0
Fabricant: Vishay Siliconix
La description: MOSFET 2N-CH 40V 7.2A PPAK SO-8
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