Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - FET, MOSFET - Matrices SIA527DJ-T1-GE3

Vishay Siliconix SIA527DJ-T1-GE3

Numéro d'article
SIA527DJ-T1-GE3
Fabricant
Vishay Siliconix
La description
MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - FET, MOSFET - Matrices
Vishay Corporation

Vishay Corporation

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Paramètre du produit
Numéro d'article SIA527DJ-T1-GE3
État de la pièce Active
FET Type N and P-Channel
FET Caractéristique Logic Level Gate
Drain à la tension de source (Vdss) 12V
Courant - Drain continu (Id) @ 25 ° C 4.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 29 mOhm @ 5A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs 15nC @ 8V
Capacitance d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 500pF @ 6V
Puissance - Max 7.8W
Température de fonctionnement -55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Paquet / cas PowerPAK® SC-70-6 Dual
Package de périphérique fournisseur PowerPAK® SC-70-6 Dual
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SIA527DJ-T1-GE3

Fabricant: Vishay Siliconix

La description: MOSFET N/P-CH 12V 4.5A SC-70-6

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