Numéro d'article | VS-ETF150Y65N |
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État de la pièce | Active |
Type d'IGBT | NPT |
Configuration | Half Bridge Inverter |
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) | 650V |
Courant - Collecteur (Ic) (Max) | 201A |
Puissance - Max | 600W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.17V @ 15V, 150A |
Courant - Coupure du collecteur (Max) | - |
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce | - |
Contribution | Standard |
Thermistance NTC | Yes |
Température de fonctionnement | 175°C (TJ) |
Type de montage | - |
Paquet / cas | Module |
Package de périphérique fournisseur | Module |
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 600V 109A 294W EMIPAK-2B
En stock: 15
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
En stock: 9
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: IGBT 650V 150A EMIPAK-2B
En stock: 15
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
En stock: 940
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO220-2
En stock: 994
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE HYPERFAST 15A TO-262
En stock: 0
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220-2
En stock: 573
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 15A TO220FP
En stock: 990
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE GEN PURP 600V 15A D2PAK
En stock: 590
Fabricant: Vishay Semiconductor Diodes Division
La description: DIODE HYPERFAST 15A D2PAK
En stock: 0