Accueil Indice de produit Produits à semiconducteurs discrets Transistors - IGBT - Modules VS-GT400TH120U

Vishay Semiconductor Diodes Division VS-GT400TH120U

Numéro d'article
VS-GT400TH120U
Fabricant
Vishay Semiconductor Diodes Division
La description
IGBT 1200V 750A 2344W DIAP
Statut sans plomb / statut RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famille
Transistors - IGBT - Modules
Vishay Corporation

Vishay Corporation

vishay intertechnology is one of the world's largest manufacturers of discrete semiconductors and selected ics, and passive electronic components.

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Paramètre du produit
Numéro d'article VS-GT400TH120U
État de la pièce Obsolete
Type d'IGBT Trench
Configuration Half Bridge
Tension - Panne d'émetteur collecteur (Max) 1200V
Courant - Collecteur (Ic) (Max) 750A
Puissance - Max 2344W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.35V @ 15V, 400A
Courant - Coupure du collecteur (Max) 5mA
Capacitance d'entrée (Cies) @ Vce 51.2nF @ 30V
Contribution Standard
Thermistance NTC No
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Chassis Mount
Paquet / cas Double INT-A-PAK (3 + 8)
Package de périphérique fournisseur Double INT-A-PAK
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