Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli BDW53B-S

Bourns Inc. BDW53B-S

Numero di parte
BDW53B-S
fabbricante
Bourns Inc.
Descrizione
TRANS NPN DARL 80V 4A
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - Singoli
Bourns Inc.

Bourns Inc.

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Numero di parte BDW53B-S
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN - Darlington
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 80V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 4V @ 40mA, 4A
Corrente - Limite del collettore (max) 500µA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 750 @ 1.5A, 3V
Potenza - Max 2W
Frequenza - Transizione -
temperatura di esercizio -65°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-220-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-220
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