Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - Bipolari (BJT) - RF NE681M13-A

CEL NE681M13-A

Numero di parte
NE681M13-A
fabbricante
CEL
Descrizione
TRANSISTOR NPN 1GHZ M13
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
CEL California Eastern Labs

CEL California Eastern Labs

cel is a stable provider of rf & optoelectronic components and rf modules.

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Numero di parte NE681M13-A
Stato parte Obsolete
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 10V
Frequenza - Transizione 7GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) 1.4dB ~ 2.7dB @ 1GHz
Guadagno -
Potenza - Max 140mW
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 80 @ 7mA, 3V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65mA
temperatura di esercizio 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-3
Pacchetto dispositivo fornitore M13
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