Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Singoli DMG2301L-7

Diodes Incorporated DMG2301L-7

Numero di parte
DMG2301L-7
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET P-CH 20V 3A SOT23
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 426282 pz
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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMG2301L-7
Stato parte Active
Tipo FET P-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 3A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 5.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 476pF @ 10V
Vgs (massimo) ±8V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 1.5W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-23
Pacchetto / caso TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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