Diodes Incorporated DMG3415UFY4-7

Numero di parte: DMG3415UFY4-7
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 16V 2.5A DFN-3
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Diodes Incorporated

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Numero di parte	DMG3415UFY4-7
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	16V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	2.5A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	1.8V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	281.9pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	400mW (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	DFN2015H4-3
Pacchetto / caso	3-XFDFN