Numero di parte | DMG4822SSD-13 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET | Logic Level Gate |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 10A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20 mOhm @ 8.5A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 10.5nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 478.9pF @ 16V |
Potenza - Max | 1.42W |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-SO |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 10A TO252
Disponibile: 20000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
Disponibile: 15000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 30V 8A 8-SO
Disponibile: 92500
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
Disponibile: 5000