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| Numero di parte | DMG6301UDW-13 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 25V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 240mA |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 4 Ohm @ 400mA, 4.5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 0.36nC @ 4.5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27.9pF @ 10V |
| Potenza - Max | 300mW |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-363 |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Disponibile: 130000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 25V 0.24A SOT363
Disponibile: 159000
