Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMHC4035LSD-13

Diodes Incorporated DMHC4035LSD-13

Numero di parte
DMHC4035LSD-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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In stock 6250 pz
  • Prezzo di riferimento

    (In dollari USA)
  • 1 pcs

    0.20125/pcs
  • 2,500 pcs

    0.19250/pcs
Totale:0.20125/pcs Unit Price:
0.20125/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMHC4035LSD-13
Stato parte Active
Tipo FET 2 N and 2 P-Channel (H-Bridge)
Caratteristica FET Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 4.5A, 3.7A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 45 mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 12.5nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 574pF @ 20V
Potenza - Max 1.5W
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore 8-SO
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DMHC4035LSD-13

fabbricante: Diodes Incorporated

Descrizione: MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC

Disponibile: 2500

RFQ 0.20125/pcs
DMHC4035LSDQ-13

fabbricante: Diodes Incorporated

Descrizione: MOSFET BVDSS: 31V 40V SO-8

Disponibile: 0

RFQ 0.25760/pcs