Numero di parte | DMN2400UFD-7 |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 900mA (Ta) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 1.5V, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 500nC @ 4.5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 37pF @ 16V |
Vgs (massimo) | ±12V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 400mW (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 600 mOhm @ 200mA, 4.5V |
temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto dispositivo fornitore | X1-DFN1212-3 |
Pacchetto / caso | 3-UDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-26
Disponibile: 168600
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-363
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2NCH 20V 540MA SOT363
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.63A SOT23-3
Disponibile: 24000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 0.54A SOT-523
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT-563
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 540MA SC70-3
Disponibile: 15000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET BVDSS: 8V 24V SOT323
Disponibile: 225000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2N-CH 20V 0.3A 6-DFN
Disponibile: 12000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 300MA SOT23-3
Disponibile: 156000