Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - FET, MOSFET - Array DMN62D0UDW-13

Diodes Incorporated DMN62D0UDW-13

Numero di parte
DMN62D0UDW-13
fabbricante
Diodes Incorporated
Descrizione
MOSFET 2N-CH 60V 0.35A SOT363
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - FET, MOSFET - Array
Diodes Incorporated

Diodes Incorporated

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Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte DMN62D0UDW-13
Stato parte Active
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 350mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs 2 Ohm @ 100mA, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 0.5nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 32pF @ 30V
Potenza - Max 320mW
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-363
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