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| Numero di parte | DMP58D0LFB-7 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | P-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 50V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 180mA (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 2.5V, 5V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2.1V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | - |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 27pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 470mW (Ta) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8 Ohm @ 100mA, 5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 3-DFN1006 (1.0x0.6) |
| Pacchetto / caso | 3-UFDFN |
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 0.18A SOT23
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 200MA 3DFN
Disponibile: 200000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Disponibile: 6000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 200MA 3-DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
Disponibile: 3000
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET P-CH 50V 180MA 3-DFN
Disponibile: 0
fabbricante: Diodes Incorporated
Descrizione: MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT-563
Disponibile: 0
