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| Numero di parte | FDB0260N1007L |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 100V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 200A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 118nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 8545pF @ 50V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 3.8W (Ta), 250W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.6 mOhm @ 27A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | D2PAK (7-Lead) |
| Pacchetto / caso | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab), TO-263CB |
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 40V D2PAK-7
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 120A D2PAK7
Disponibile: 0
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 80V 240A D2PAK
Disponibile: 800
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 100V 200A D2PAK
Disponibile: 0
