Fairchild/ON Semiconductor FDC637AN

Numero di parte: FDC637AN
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 20V 6.2A SSOT-6
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fairchild / ON Semiconductor

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Parametro del prodotto

Numero di parte	FDC637AN
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.2A (Ta)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	2.5V, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	16nC @ 4.5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1125pF @ 10V
Vgs (massimo)	±8V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	1.6W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	24 mOhm @ 6.2A, 4.5V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	SuperSOT™-6
Pacchetto / caso	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6