Fairchild/ON Semiconductor FQI7N80TU

Numero di parte: FQI7N80TU
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: MOSFET N-CH 800V 6.6A I2PAK
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - FET, MOSFET - Singoli

Fairchild / ON Semiconductor

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Parametro del prodotto

Numero di parte	FQI7N80TU
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	6.6A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	1850pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	3.13W (Ta), 167W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	1.5 Ohm @ 3.3A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	I2PAK (TO-262)
Pacchetto / caso	TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA