Fairchild/ON Semiconductor HGT1S10N120BNS

Numero di parte: HGT1S10N120BNS
fabbricante: Fairchild/ON Semiconductor
Descrizione: IGBT 1200V 35A 298W TO263AB
Stato senza piombo / Stato RoHS: Lead free / RoHS Compliant
Famiglia: Transistor - IGBT - Singoli

Fairchild / ON Semiconductor

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Numero di parte	HGT1S10N120BNS
Stato parte	Not For New Designs
Tipo IGBT	NPT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)	1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max)	35A
Corrente - Collector Pulsed (Icm)	80A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic	2.7V @ 15V, 10A
Potenza - Max	298W
Cambiare energia	320µJ (on), 800µJ (off)
Tipo di input	Standard
Carica del cancello	100nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C	23ns/165ns
Condizione di test	960V, 10A, 10 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr)	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263AB