Numero di parte | NDP6020P |
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Stato parte | Active |
Tipo FET | P-Channel |
Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) | 20V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 24A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 5V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 1590pF @ 10V |
Vgs (massimo) | ±8V |
Caratteristica FET | - |
Dissipazione di potenza (max) | 60W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50 mOhm @ 12A, 4.5V |
temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore | TO-220 |
Pacchetto / caso | TO-220-3 |