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| Numero di parte | GA01PNS80-220 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | PIN - Single |
| Voltage - Peak Reverse (Max) | 8000V |
| Corrente - max | 2A |
| Capacità @ Vr, F | 4pF @ 1000V, 1MHz |
| Resistenza @ Se, F | - |
| Dissipazione di potenza (max) | - |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Pacchetto / caso | Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SILICON CARBIDE 15KV 1A
Disponibile: 11
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SILICON CARBIDE 8KV
Disponibile: 0
