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| Numero di parte | GB05SLT12-252 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo diodo | Silicon Carbide Schottky |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 1200V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 5A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8V @ 2A |
| Velocità | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | 0ns |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 50µA @ 1200V |
| Capacità @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-252 |
| Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SCHOTTKY 1.2KV 5A TO220AC
Disponibile: 82
fabbricante: GeneSiC Semiconductor
Descrizione: DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
Disponibile: 0
