Casa Indice del prodotto Dispositivi a semiconduttore discreti Transistor - IGBT - Moduli GB100XCP12-227

GeneSiC Semiconductor GB100XCP12-227

Numero di parte
GB100XCP12-227
fabbricante
GeneSiC Semiconductor
Descrizione
IGBT 1200V 100A SOT-227
Stato senza piombo / Stato RoHS
Lead free / RoHS Compliant
Famiglia
Transistor - IGBT - Moduli
GeneSiC Semiconductor

GeneSiC Semiconductor

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Totale:110.71500/pcs Unit Price:
110.71500/pcs
Etichetta del prezzo:
Quantità:
Parametro del prodotto
Numero di parte GB100XCP12-227
Stato parte Active
Tipo IGBT PT
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100A
Potenza - Max -
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2V @ 15V, 100A
Corrente - Limite del collettore (max) 1mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 8.55nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SOT-227-4
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-227
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